Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П

Шелохвостов В. П. Проектирование интегральных микросхем

Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П

В.П. Шелохвостов, В.Н. Чернышов

ПРОЕКТИРОВАНИЕ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ

МИКРОСХЕМ

♦ ИЗДАТЕЛЬСТВО ТГТУ ♦

Министерство образования и науки Российской Федерации

ГОУ ВПО «Тамбовский государственный технический университет»

В.П. Шелохвостов, В.Н. Чернышов

ПРОЕКТИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Рекомендовано Учебно-методическим объединением по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия

Издание второе, стереотипное

Тамбов Издательство ТГТУ

2008

УДК 621.3.049.771(07)

ББК ç844.15-02я73-5 Ш44

Р е ц е н з е н т ы :

Доктор технических наук, профессор

А.А. Чуриков

Доктор технических наук, профессор

Д.А. Дмитриев

Шелохвостов, В.П.

Ш44 Проектирование интегральных микросхем : учеб. пособие / В.П. Шелохвостов, В.Н. Чернышов. – 2-е изд., стер. – Тамбов : Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2008. – 208 с. – 100 экз.

ISBN 978-5-8265-0745-2

Приведены конструкции основных активных и пассивных элементов и компонентов микросхем и микросборок. Дана характеристика основных технологических процессов изготовления полупроводниковых и пленочных микросхем, показаны блок-схемы этих процессов.

Рассмотрены основные вопросы проектирования микросхем и микросборок и расчета активных полупроводниковых элементов (биполярные и полевые транзисторы), пассивных пленочных и полупроводниковых резисторов и конденсаторов, элементов с распределенными параметрами, индуктивных катушек.

Предназначено для студентов специальностей «Конструирование и производство радиоэлектронных средств» и «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры», а также может быть использовано студентами других специальностей при изучении соответствующих вопросов микроэлектроники.

УДК 621.3.049.771(07) ББК ç844.15-02я73-5

ISBN 978-5-8265-0745-2 ГОУ ВПО «Тамбовский государственный технический университет» (ТГТУ), 2008

Учебное издание

ШЕЛОХВОСТОВ Виктор Прокопьевич ЧЕРНЫШОВ Владимир Николаевич

ПРОЕКТИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Учебное пособие

Издание второе, стереотипное

Редактор Т.М. Глинкина Инженер по компьютерному макетированию М.Н. Рыжкова

Подписано в печать14.11.2008

Формат 60×84/16. 12,09 усл. печ. л. Тираж 100 экз. С. 509

Издательско-полиграфический центр Тамбовского государственного технического университета

392000, Тамбов, Советская, 106, к. 14

ВВЕДЕНИЕ

Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы – интегральных микросхем.

Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функциональные узлы, например в виде больших (БИС), сверхбольших (СБИС), ультрабольших (УБИС) микросхем и программируемых устройств – микропроцессоров.

Интегральные изделия имеют малые габариты, экономное потребление энергоресурсов, низкую стоимость и высокую надежность, что позволило развить электронику в интегральную и функциональную микроэлектронику, далее в наноэлектронику.

Это в свою очередь создает базу интенсивного развития современного общества во всех сферах (медицина, информатика, автоматизация техпроцессов и др.).

Курсовой проект по дисциплине «Проектирование микросхем и микропроцессоров» выполняется с целью закрепления приобретенных при изучении курса знаний и получения практических навыков конструирования интегральных микросхем (ИМС).

Осуществляется практика анализа электрических схем с целью выявления возможностей миниатюризации и выполнения рассматриваемого узла как единого функционального узла с учетом реальных конструкторскотехнологических ограничений и требований. Приобретаются навыки в расчетах полупроводниковых активных и пассивных элементов, пленочных пассивных элементов, выбора активных навесных компонентов, общей компоновки узла и оформления конструкторско-технологической документации.

Курсовой проект состоит из пояснительной записки и графического материала.

Объем пояснительной записки в пределах 25 – 30 страниц с приведенным обязательным перечнем разделов:

−титульный лист;

−задание на курсовой проект;

−содержание;

−анализ задания, включающий проработку электрической схемы с необходимыми расчетами электрических параметров входящих элементов и выбор типа проектируемой микросхемы;

−технико-экономическое обоснование выбора технологического процесса изготовления ИМС (полупроводниковая, тонкоили толстопленочная, гибридная или микросборка), материалов подложки, резисторов, обкладок и диэлектрика конденсаторов, проводников и контактных площадок;

−расчет геометрических размеров активных и пассивных полупроводниковых элементов, пленочных пассивных элементов и площади платы ИМС;

−разработка топологии ИС в соответствии с выбранной технологией ее изготовления.

−разработка конструкции ИМС в целом с обоснованием выбора конструкционных материалов и защитных покрытий;

−расчет теплового режима ИМС;

−расчет показателей надежности;

−заключение;

−список литературы;

−приложения.

Текст каждого раздела пояснительной записки должен содержать ссылку на литературный источник, материал которого использовался в данном разделе. Методика расчета размеров пленочных элементов должна приводиться в тексте только один раз и иллюстрироваться одним примером. Остальные результаты расчетов по этой методике должны сводиться в таблицы.

Изложение материала в пособии соответствует последовательности выполнения работ по проектированию вне зависимости от типа проектируемой ИМС. Особенности проектирования той или иной ИМС всегда отмечаются.

В основу пособия положен многолетний опыт курсового проектирования ИМС на кафедрах «Конструирование радиоэлектронных средств и микропроцессорных систем» и «Материалы и технология» Тамбовского государственного технического университета.

Авторы выражают благодарность коллективам кафедр, в особенности А.П. Королеву, С.Н. Баршутину за полезные советы и помощь при написании и подготовке данного пособия.

ОБЩИЕ ВОПРОСЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ МИКРОСХЕМЫ

Проектирование электронных средств, в том числе и микросхем, связано с необходимостью обеспечивать определенные общие для всех требования.

Эти требования являются результатом опыта эксплуатации изделий электронной техники, в частности проектируемых микросхем, в различных условиях. Опыт отражается стандартами фирм, отраслевыми и государственными стандартами и носит не только рекомендательный, но и обязательный характер.

Технические условия на интегральные микросхемы

Технические условия (ТУ) на интегральные микросхемы (как и на другие изделия электронной техники) представляют собой комплекс основных требований, которым они должны удовлетворять. В состав требований входят выходные параметры, условия эксплуатации, хранения и др.

Технические условия могут быть общие (ОТУ), частные (ЧТУ), временные (ВТУ) и некоторые другие. Общие ТУ устанавливают требования ко всем типам ИМС опытного, серийного и массового производства.

Частные ТУ регламентируют нормы и параметры каждого типа и серии ИМС, устанавливают (уточняют) параметры и режимы испытаний, специальные и дополнительные требования.

Для вновь проектируемых ИМС (отсутствие опыта эксплуатации) устанавливают временные требования для опытной партии или установленного объема выпуска. ОТУ и ЧТУ взаимосвязаны, поскольку дополняют друг друга. Они являются едиными для предприятия-заказчика, предприятия-разработчика и завода-изготовителя.

ОТУ на интегральные микросхемы широкого применения (ГОСТ 18725–73) содержат требования к электрическим параметрам, конструкции, устойчивости к механическим и климатическим воздействиям, надежности, долговечности и сохраняемости.

Электрические параметры ИМС при изготовлении, хранении и эксплуатации в режимах и условиях, допускаемых в технической документации для конкретных типов микросхем, должны соответствовать установленным в этой документации нормам.

В частности, для напряжения питания предпочтительным следует считать показанный ряд номинальных значений: 1,2; 2,4; 3,0; 4,0; 5,2; 6,0; 9,0; 12,0; 15,0; 24,0; 30,0; 48,; 100; 150; 200 В.

Требования к конструкции относятся к габаритным и присоединительным размерам, внешнему виду и массе ИМС. Бескорпусные ИМС должны быть стойкими к процессу сборки. Выводы ИМС должны выдерживать растягивающие усилия и изгибы, допускать сварку и пайку.

Источник: https://studfile.net/preview/3599602/

В.П. Шелохвостов, В.Н. Чернышов ПРОЕКТИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ИЗДАТЕЛЬСТВО ТГТУ Министерство образования

Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П

— [ Страница 1 ] —

и науки Российской Федерации

ГОУ ВПО «Тамбовский государственный технический университет»

В.П. Шелохвостов, В.Н. Чернышов

ПРОЕКТИРОВАНИЕ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Рекомендовано Учебно-методическим объединением по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия Издание второе, стереотипное Тамбов Издательство ТГТУ УДК 621.3.049.771(07) ББК 844.15-02я73- Ш Рецензенты:

Доктор технических наук, профессор А.А. Чуриков Доктор технических наук, профессор Д.А. Дмитриев Шелохвостов, В.П.

Ш44 Проектирование интегральных микросхем : учеб. пособие / В.П. Шелохвостов, В.Н. Чернышов. – 2-е изд., стер. – Тамбов :

Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2008. – 208 с. – 100 экз.

ISBN 978-5-8265-0745- Приведены конструкции основных активных и пассивных элементов и компонентов микросхем и микросборок. Дана характеристика основных технологических процессов изготовления полупроводниковых и пленочных микросхем, показаны блок-схемы этих процессов.

Рассмотрены основные вопросы проектирования микросхем и микросборок и расчета активных полупроводниковых элементов (биполярные и полевые транзисторы), пассивных пленочных и полупроводниковых резисторов и конденсаторов, элементов с распределенными параметрами, индуктивных катушек.

Предназначено для студентов специальностей «Конструирование и производство радиоэлектронных средств» и «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры», а также может быть использовано студентами других специальностей при изучении соответствующих вопросов микроэлектроники.

УДК 621.3.049.771(07) ББК 844.15-02я73- ISBN 978-5-8265-0745-2 ГОУ ВПО «Тамбовский государственный технический университет» (ТГТУ), Учебное издание ШЕЛОХВОСТОВ Виктор Прокопьевич ЧЕРНЫШОВ Владимир Николаевич ПРОЕКТИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ Учебное пособие Издание второе, стереотипное Редактор Т.М. Г л и н к и н а Инженер по компьютерному макетированию М.Н.

Р ы ж к о в а Подписано в печать14.11. Формат 60 84/16. 12,09 усл. печ. л. Тираж 100 экз. С. Издательско-полиграфический центр Тамбовского государственного технического университета 392000, Тамбов, Советская, 106, к.

ВВЕДЕНИЕ Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы – интегральных микросхем.

Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функциональные узлы, например в виде больших (БИС), сверхбольших (СБИС), ультрабольших (УБИС) микросхем и программируемых устройств – микропроцессоров.

Интегральные изделия имеют малые габариты, экономное потребление энергоресурсов, низкую стоимость и высокую надежность, что позволило развить электронику в интегральную и функциональную микроэлектронику, далее в наноэлектронику.

Это в свою очередь создает базу интенсивного развития современного общества во всех сферах (медицина, информатика, автоматизация техпроцессов и др.).

Курсовой проект по дисциплине «Проектирование микросхем и микропроцессоров» выполняется с целью закрепления приобретенных при изучении курса знаний и получения практических навыков конструирования интегральных микросхем (ИМС).

Осуществляется практика анализа электрических схем с целью выявления возможностей миниатюризации и выполнения рассматриваемого узла как единого функционального узла с учетом реальных конструкторско технологических ограничений и требований. Приобретаются навыки в расчетах полупроводниковых активных и пассивных элементов, пленочных пассивных элементов, выбора активных навесных компонентов, общей компоновки узла и оформления конструкторско-технологической документации.

Курсовой проект состоит из пояснительной записки и графического материала.

Объем пояснительной записки в пределах 25 – 30 страниц с приведенным обязательным перечнем разделов:

титульный лист;

задание на курсовой проект;

содержание;

анализ задания, включающий проработку электрической схемы с необходимыми расчетами электрических параметров входящих элементов и выбор типа проектируемой микросхемы;

технико-экономическое обоснование выбора технологического процесса изготовления ИМС (полупроводниковая, тонко- или толстопленочная, гибридная или микросборка), материалов подложки, резисторов, обкладок и диэлектрика конденсаторов, проводников и контактных площадок;

расчет геометрических размеров активных и пассивных полупроводниковых элементов, пленочных пассивных элементов и площади платы ИМС;

разработка топологии ИС в соответствии с выбранной технологией ее изготовления.

разработка конструкции ИМС в целом с обоснованием выбора конструкционных материалов и защитных покрытий;

расчет теплового режима ИМС;

расчет показателей надежности;

заключение;

список литературы;

приложения.

Текст каждого раздела пояснительной записки должен содержать ссылку на литературный источник, материал которого использовался в данном разделе. Методика расчета размеров пленочных элементов должна приводиться в тексте только один раз и иллюстрироваться одним примером. Остальные результаты расчетов по этой методике должны сводиться в таблицы.

Изложение материала в пособии соответствует последовательности выполнения работ по проектированию вне зависимости от типа проектируемой ИМС. Особенности проектирования той или иной ИМС всегда отмечаются.

В основу пособия положен многолетний опыт курсового проектирования ИМС на кафедрах «Конструирование радиоэлектронных средств и микропроцессорных систем» и «Материалы и технология» Тамбовского государственного технического университета.

Авторы выражают благодарность коллективам кафедр, в особенности А.П. Королеву, С.Н. Баршутину за полезные советы и помощь при написании и подготовке данного пособия.

ОБЩИЕ ВОПРОСЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ МИКРОСХЕМЫ Проектирование электронных средств, в том числе и микросхем, связано с необходимостью обеспечивать определенные общие для всех требования.

Эти требования являются результатом опыта эксплуатации изделий электронной техники, в частности проектируемых микросхем, в различных условиях. Опыт отражается стандартами фирм, отраслевыми и государственными стандартами и носит не только рекомендательный, но и обязательный характер.

Технические условия на интегральные микросхемы Технические условия (ТУ) на интегральные микросхемы (как и на другие изделия электронной техники) представляют собой комплекс основных требований, которым они должны удовлетворять. В состав требований входят выходные параметры, условия эксплуатации, хранения и др.

Технические условия могут быть общие (ОТУ), частные (ЧТУ), временные (ВТУ) и некоторые другие. Общие ТУ устанавливают требования ко всем типам ИМС опытного, серийного и массового производства.

Частные ТУ регламентируют нормы и параметры каждого типа и серии ИМС, устанавливают (уточняют) параметры и режимы испытаний, специальные и дополнительные требования. Для вновь проектируемых ИМС (отсутствие опыта эксплуатации) устанавливают временные требования для опытной партии или установленного объема выпуска.

ОТУ и ЧТУ взаимосвязаны, поскольку дополняют друг друга. Они являются едиными для предприятия-заказчика, предприятия-разработчика и завода-изготовителя.

ОТУ на интегральные микросхемы широкого применения (ГОСТ 18725–73) содержат требования к электрическим параметрам, конструкции, устойчивости к механическим и климатическим воздействиям, надежности, долговечности и сохраняемости.

Электрические параметры ИМС при изготовлении, хранении и эксплуатации в режимах и условиях, допускаемых в технической документации для конкретных типов микросхем, должны соответствовать установленным в этой документации нормам.

В частности, для напряжения питания предпочтительным следует считать показанный ряд номинальных значений: 1,2;

2,4;

3,0;

4,0;

5,2;

6,0;

9,0;

12,0;

15,0;

24,0;

30,0;

48,;

100;

150;

200 В.

Требования к конструкции относятся к габаритным и присоединительным размерам, внешнему виду и массе ИМС. Бескорпусные ИМС должны быть стойкими к процессу сборки. Выводы ИМС должны выдерживать растягивающие усилия и изгибы, допускать сварку и пайку.

Источник: http://libed.ru/knigi-nauka/1040817-1-vp-shelohvostov-chernishov-proektirovanie-integralnih-mikroshem-izdatelstvo-tgtu-ministerstvo-obrazovaniya-nauki.php

«Проектирование ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ИЗДАТЕЛЬСТВО ТГТУ Министерство образования и науки Российской Федерации ГОУ ВПО Тамбовский государственный технический университет …»

Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П

— [ Страница 1 ] —

В.П. Шелохвостов, В.Н. Чернышов

ИЗДАТЕЛЬСТВО ТГТУ

Министерство образования и науки Российской Федерации

ГОУ ВПО «Тамбовский государственный технический университет»

В.П. Шелохвостов, В.Н. Чернышов

ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Рекомендовано Учебно-методическим объединением по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия Издание второе, стереотипное Тамбов Издательство ТГТУ УДК 621.3.049.771(07) ББК 844.15-02я73- Ш Рецензенты:

Доктор технических наук, профессор А.А. Чуриков Доктор технических наук, профессор Д.А. Дмитриев Шелохвостов, В.П.

Ш44 Проектирование интегральных микросхем : учеб. пособие / В.П. Шелохвостов, В.Н. Чернышов. – 2-е изд., стер. – Тамбов :

Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2008. – 208 с. – 100 экз.

ISBN 978-5-8265-0745- Приведены конструкции основных активных и пассивных элементов и компонентов микросхем и микросборок. Дана характеристика основных технологических процессов изготовления полупроводниковых и пленочных микросхем, показаны блок-схемы этих процессов.

Рассмотрены основные вопросы проектирования микросхем и микросборок и расчета активных полупроводниковых элементов (биполярные и полевые транзисторы), пассивных пленочных и полупроводниковых резисторов и конденсаторов, элементов с распределенными параметрами, индуктивных катушек.

Предназначено для студентов специальностей «Конструирование и производство радиоэлектронных средств» и «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры», а также может быть использовано студентами других специальностей при изучении соответствующих вопросов микроэлектроники.

УДК 621.3.049.771(07) ББК 844.15-02я73- ISBN 978-5-8265-0745-2 ГОУ ВПО «Тамбовский государственный технический университет» (ТГТУ), Учебное издание ШЕЛОХВОСТОВ Виктор Прокопьевич ЧЕРНЫШОВ Владимир Николаевич

Проектирование ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Учебное пособие Издание второе, стереотипное Редактор Т.М. Г л и н к и н а Инженер по компьютерному макетированию М.Н. Р ы ж к о в а Подписано в печать14.11. Формат 60 84/16. 12,09 усл. печ. л. Тираж 100 экз. С. Издательско-полиграфический центр Тамбовского государственного технического университета 392000, Тамбов, Советская, 106, к.

ВВЕДЕНИЕ

Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы – интегральных микросхем.

Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функциональные узлы, например в виде больших (БИС), сверхбольших (СБИС), ультрабольших (УБИС) микросхем и программируемых устройств – микропроцессоров.

Интегральные изделия имеют малые габариты, экономное потребление энергоресурсов, низкую стоимость и высокую надежность, что позволило развить электронику в интегральную и функциональную микроэлектронику, далее в наноэлектронику.

Это в свою очередь создает базу интенсивного развития современного общества во всех сферах (медицина, информатика, автоматизация техпроцессов и др.).

Курсовой проект по дисциплине «Проектирование микросхем и микропроцессоров» выполняется с целью закрепления приобретенных при изучении курса знаний и получения практических навыков конструирования интегральных микросхем (ИМС).

Осуществляется практика анализа электрических схем с целью выявления возможностей миниатюризации и выполнения рассматриваемого узла как единого функционального узла с учетом реальных конструкторскотехнологических ограничений и требований. Приобретаются навыки в расчетах полупроводниковых активных и пассивных элементов, пленочных пассивных элементов, выбора активных навесных компонентов, общей компоновки узла и оформления конструкторско-технологической документации.

Курсовой проект состоит из пояснительной записки и графического материала.

Объем пояснительной записки в пределах 25 – 30 страниц с приведенным обязательным перечнем разделов:

титульный лист;

задание на курсовой проект;

содержание;

анализ задания, включающий проработку электрической схемы с необходимыми расчетами электрических параметров входящих элементов и выбор типа проектируемой микросхемы;

технико-экономическое обоснование выбора технологического процесса изготовления ИМС (полупроводниковая, тонко- или толстопленочная, гибридная или микросборка), материалов подложки, резисторов, обкладок и диэлектрика конденсаторов, проводников и контактных площадок;

расчет геометрических размеров активных и пассивных полупроводниковых элементов, пленочных пассивных элементов и площади платы ИМС;

разработка топологии ИС в соответствии с выбранной технологией ее изготовления.

разработка конструкции ИМС в целом с обоснованием выбора конструкционных материалов и защитных покрытий;

расчет теплового режима ИМС;

расчет показателей надежности;

заключение;

список литературы;

приложения.

Текст каждого раздела пояснительной записки должен содержать ссылку на литературный источник, материал которого использовался в данном разделе. Методика расчета размеров пленочных элементов должна приводиться в тексте только один раз и иллюстрироваться одним примером. Остальные результаты расчетов по этой методике должны сводиться в таблицы.

Изложение материала в пособии соответствует последовательности выполнения работ по проектированию вне зависимости от типа проектируемой ИМС. Особенности проектирования той или иной ИМС всегда отмечаются.

В основу пособия положен многолетний опыт курсового проектирования ИМС на кафедрах «Конструирование радиоэлектронных средств и микропроцессорных систем» и «Материалы и технология» Тамбовского государственного технического университета.

Авторы выражают благодарность коллективам кафедр, в особенности А.П. Королеву, С.Н. Баршутину за полезные советы и помощь при написании и подготовке данного пособия.

МИКРОСХЕМЫ

Проектирование электронных средств, в том числе и микросхем, связано с необходимостью обеспечивать определенные общие для всех требования.

Эти требования являются результатом опыта эксплуатации изделий электронной техники, в частности проектируемых микросхем, в различных условиях.

Опыт отражается стандартами фирм, отраслевыми и государственными стандартами и носит не только рекомендательный, но и обязательный характер.

Технические условия (ТУ) на интегральные микросхемы (как и на другие изделия электронной техники) представляют собой комплекс основных требований, которым они должны удовлетворять. В состав требований входят выходные параметры, условия эксплуатации, хранения и др.

Технические условия могут быть общие (ОТУ), частные (ЧТУ), временные (ВТУ) и некоторые другие. Общие ТУ устанавливают требования ко всем типам ИМС опытного, серийного и массового производства.

Частные ТУ регламентируют нормы и параметры каждого типа и серии ИМС, устанавливают (уточняют) параметры и режимы испытаний, специальные и дополнительные требования.

Для вновь проектируемых ИМС (отсутствие опыта эксплуатации) устанавливают временные требования для опытной партии или установленного объема выпуска. ОТУ и ЧТУ взаимосвязаны, поскольку дополняют друг друга. Они являются едиными для предприятия-заказчика, предприятия-разработчика и завода-изготовителя.

ОТУ на интегральные микросхемы широкого применения (ГОСТ 18725–73) содержат требования к электрическим параметрам, конструкции, устойчивости к механическим и климатическим воздействиям, надежности, долговечности и сохраняемости.

Электрические параметры ИМС при изготовлении, хранении и эксплуатации в режимах и условиях, допускаемых в технической документации для конкретных типов микросхем, должны соответствовать установленным в этой документации нормам.

В частности, для напряжения питания предпочтительным следует считать показанный ряд номинальных значений: 1,2; 2,4; 3,0; 4,0; 5,2; 6,0; 9,0; 12,0; 15,0; 24,0; 30,0; 48,; 100; 150; 200 В.

Требования к конструкции относятся к габаритным и присоединительным размерам, внешнему виду и массе ИМС. Бескорпусные ИМС должны быть стойкими к процессу сборки. Выводы ИМС должны выдерживать растягивающие усилия и изгибы, допускать сварку и пайку.

Источник: http://kniga.seluk.ru/k-radiotehnika/595497-1-proektirovanie-integralnih-mikroshem-izdatelstvo-tgtu-ministerstvo-obrazovaniya-nauki-rossiyskoy-federacii-go.php

Biz-books
Добавить комментарий